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三星東芝熱烈爭奪NAND閃存技術(shù)領(lǐng)先地位

2007-01-05 10:28 出處：PConline 作者：小米 責(zé)任編輯：zhongyuexuan

　　誰是NAND閃存行業(yè)的技術(shù)領(lǐng)先者呢？對此，日前有業(yè)界分析師警告說，這個問題可能沒有答案，原因是在2007年的大部分時間中，廠商們將面對市場供過于求的困境。與此同時，三星電子和東芝兩家公司都借全球首枚60納米以下NAND閃存配件的樣品展示或者量產(chǎn)來證明自己在此領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　全球最大NAND閃存供應(yīng)商三星已經(jīng)開始了采用50納米技術(shù)，用于固態(tài)硬盤的16Gbit芯片樣品的試產(chǎn)，三星稱這種產(chǎn)品預(yù)計將在2007年第一季度的某個時候開始量產(chǎn)。而全球第二大供應(yīng)商、日本的東芝公司則悄然完成了56納米NAND閃存設(shè)備的試產(chǎn)，預(yù)定投產(chǎn)時間是今年一月份。東芝原來的計劃是推出52納米的NAND產(chǎn)品，不過最終修改計劃、轉(zhuǎn)而設(shè)計出56納米產(chǎn)品，原因據(jù)其表示是這種技術(shù)過于復(fù)雜。至于業(yè)界其他廠商，包括現(xiàn)代、意法半導(dǎo)體和英特爾/鎂光聯(lián)盟等，也在拼命追趕三星和東芝。

　　市場研究公司iSuppli的分析師Nam Hyung Kim認為東芝要稍稍領(lǐng)先于三星。“技術(shù)宣布不等于已經(jīng)生產(chǎn)出樣品，”Kim說。“東芝在60納米以下競賽中要稍稍領(lǐng)先于三星。”

　　Kim表示，這種技術(shù)領(lǐng)先地位可能難有定論，原因是預(yù)計NAND市場至少在2007年第三季度之前仍將保持供過于求的狀態(tài)。“市場在2007年將出現(xiàn)挑戰(zhàn)，”他說。“我們預(yù)計供過于求會持續(xù)至Q3。到第四季，我們預(yù)期會出現(xiàn)短缺。”

　　根據(jù)iSuppli的預(yù)測，2007年NAND市場總值將達到141.88億美元，比2006年上升17%，而以Bit為單位計算的產(chǎn)量增幅更會達149%，不過平均售價預(yù)計今年會下降53%。

　　在2006年里，NAND閃存價格的平均跌幅達到61%。由于這種供過于求的情況持續(xù)了一整年，導(dǎo)致部分廠商選擇退出了這個行業(yè)，其中包括雷尼薩斯(Renesas Technology)和奇夢達(Qimonda AG)。而在最近一段時間，該市場更陷入困境。“業(yè)內(nèi)每個人都對NAND的價格下跌不高興，”鎂光科技的NAND產(chǎn)品開發(fā)副總裁Frankie Roohparvar說。“我們把這看作路上的一次顛簸。”Roohparvar表示，長遠來看，NAND價格的下跌會拉低產(chǎn)品平均售價并開發(fā)出多種新應(yīng)用領(lǐng)域，例如固態(tài)硬盤、PC緩存、手機等等。傳統(tǒng)上，NAND閃存主要應(yīng)用于MP3播放器、U盤和存儲卡上。

　　固態(tài)硬盤是NAND閃存一個潛力巨大的新市場。“我們不是說NAND會取代硬盤，”他說。“最大的問題始終是單位容量的成本。但我們在不斷縮小這個差距。”

　　東芝和三星都稱自己是首家突破60納米技術(shù)界限的廠商。三星并沒有說明其16Gbit(2GB)存儲芯片是單片產(chǎn)品還是多芯片整合在單一封裝中，但明確表示它是首個采用50納米生產(chǎn)工藝的NAND閃存，將用于生產(chǎn)能連接PC或者手機的外置存儲卡。此外，該芯片的推出預(yù)計還將加快基于閃存的固態(tài)磁盤等非易失性存儲產(chǎn)品的普及進程，例如在微軟的Vista操作系統(tǒng)中的使用。

　　鎂光和現(xiàn)代等二線廠商同樣沒有放棄追趕這兩家市場領(lǐng)先者。Roohparvar透露，鎂光已經(jīng)發(fā)布了70納米產(chǎn)品，但他們將跳過65納米技術(shù)，將精力集中于50納米產(chǎn)品。鎂光目前正在試產(chǎn)50納米SLC型(Single level cell)設(shè)備，50納米MLC型(Multi level cell)產(chǎn)品會在2007年中問世。鎂光和英特爾合資成立了一家閃存生產(chǎn)廠，名字是IM Flash。由于起步太遲，這家公司正奮起直追。“我們矢志成為業(yè)界市場領(lǐng)導(dǎo)者，”他說。“部分廠商用了六年時間才完成了我們僅花了一年半就完成的工作。”

　　另一方面，為了不被趕超，現(xiàn)代公司預(yù)計將在2007年上半年測試60納米NAND設(shè)備，50納米配件會在2007年下半年推出。去年，現(xiàn)代和意法半導(dǎo)體在中國無錫的合資工廠開始運作，預(yù)計能推高其110nm和90nm內(nèi)存以及80納米NAND產(chǎn)品的產(chǎn)能。該工廠的設(shè)計生產(chǎn)技術(shù)極限至少可以達到55納米。
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